特許
J-GLOBAL ID：200903072778484176
超高品質シリコン含有化合物層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
三枝 英二
, 掛樋 悠路
, 斎藤 健治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-523521
公開番号（公開出願番号）：特表2005-534181
出願日： 2003年07月18日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
シリコンナイトライド層を含む、超高品質シリコン含有化合物層を形成するため、複数の順次的なステップ140が、反応チャンバー中で実施される。好ましい実施態様において、シリコン前駆物質としてトリシランを用いて、シリコン層が基板上に堆積100される。シリコン前駆物質は、反応チャンバーから除去される110。その後、シリコンナイトライド層が、シリコン層を窒化すること120によって形成される。窒素反応物質は、反応チャンバーから除去される110。これらのステップ100、110、120及び130を繰り返すことによって、所望の厚さのシリコンナイトライド層が形成される。【式1】
請求項（抜粋）：
集積回路におけるシリコン含有化合物層の形成方法であって、該方法が、複数のサイクルを含み、各サイクルが、以下:
基板をトリシランに暴露することによって、プロセスチャンバー内において基板上にシリコン層を堆積すること;
その後、プロセスチャンバーからトリシランを除去すること;
シリコン層を反応種(reactive species)に暴露することによってシリコン含有化合物層を形成すること;及び
その後、プロセスチャンバーから反応種を除去すること
を含む方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F058BA20
, 5F058BC08
, 5F058BF02
, 5F058BF23
, 5F058BF30
, 5F058BJ04
