半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷栄男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-263853
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100811
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】安定した電気的特性を有するとともに防湿性および強度の高い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】プラズマCVD法によりSiN膜(絶縁膜)を形成するとともに、形成されたSiN膜の屈折率が実質的に1.95程度となるよう、原料ガスであるシラン(SiH4)とアンモニア(NH3)の流量比(SiH4/NH3)を調整するようにしている。したがって、防湿性および強度の高いSiN膜を低温で形成することができる。また、形成されたSiN膜を化学量論比の組成を有するシリコン窒化膜(Si3N4)に近づけることができる。このため、形成されたSiN膜中の未結合手やシリコン・水素(Si-H)結合を低減することができる。

請求項（抜粋）：

プラズマを利用した気相成長法によりシリコン窒化物を含む絶縁膜を形成する、半導体装置の製造方法であって、形成された絶縁膜の屈折率が実質的に1.95以下となるよう、当該気相成長法に用いる各原料ガスの流量比を調整したこと、を特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (9件)：

5F058BA01 , 5F058BA07 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭60-233819
特開平4-243166
特開平1-134935

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