特許
J-GLOBAL ID：200903072826304100
半導体量子ドット素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184832
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022278
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 量子ドット構造の厚さを任意の厚さで揃えて、エネルギー幅が狭く鋭いピーク状の状態密度を持つ、高密度な量子ドットを備えた半導体量子ドット素子を提供する。【解決手段】 本発明の半導体量子ドット素子は、第1の半導体層3と、前記第1の半導体層3の上に設けられた活性層13と、前記活性層13の上に設けられた第2の半導体層6とから成り、前記活性層13が、複数の単位量子ドットから成る量子ドット層4と、前記複数の単位量子ドット間を満たすように設けられた膜厚調整層5とから成る事を特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられた第2の半導体層から成り、前記活性層が、複数の単位量子ドットから成る量子ドット層と、前記複数の単位量子ドット間を満たすように設けられた膜厚調整層とから成る事を特徴とする半導体量子ドット素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
5F041AA03
, 5F041AA14
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F073AA22
, 5F073AA51
, 5F073AA75
, 5F073CA07
, 5F073EA23
