特許

J-GLOBAL ID：200903072830837317

共振子構造及びそのような共振子構造を有するフィルター

発明者： カイティラ,イルキ ,  イリランミ,マルック ,  エッラ,ユハ
出願人/特許権者： ノキア コーポレイション
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-510982
公開番号（公開出願番号）：特表2003-505905
出願日： 2000年07月18日
公開日（公表日）： 2003年02月12日
要約：

【要約】2つの導電体層(110、120)及びこれらの導電体層の間の圧電層(100)を有する共振子構造(600、800、810、820)とする。ここで導電体層及び圧電層は、共振子構造の第1の領域に拡がっており、この第1の領域は共振子構造の圧電的に励起可能な領域である。この共振子構造は、中央領域(604、802)を前記共振子の第1の領域の内側に定める領域(603、801、803、804)を有するようにされていること、及び前記領域の層構造が、この領域において前記中央領域でよりも比較的効果的に、圧電的に励起される振動を減衰させるように配置されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

2つの導電体層(110、120)及びこれらの導電体層の間の圧電層(100)を有する共振子構造(600、800、810、820)であって、前記導電体層及び圧電層が、前記共振子構造の第1の領域に拡がっており、この第1の領域が前記共振子構造の圧電的に励起可能な領域であり、ここで 前記共振子構造が、前記共振子の第1の領域内の中央領域(604、802)を定める区域(603、801、803、804)を有するようにされていること、及び 前記区域の層構造が、この区域において前記中央領域でよりも比較的効果的に、圧電的に励起される振動を減衰させるようにされていること、を特徴とする、2つの導電体層(110、120)及びこれらの導電体層の間の圧電層(100)を有する共振子構造(600、800、810、820)。

Fターム (7件)：

5J108AA01 ,  5J108AA07 ,  5J108BB04 ,  5J108BB07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC01 ,  5J108CC11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• テ-パ-付き電極及び電極縁部減衰材料を用いた半導体バルク音響共振器(SBAR)装置の横モ-ド抑制
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-180160   出願人：ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド