特許
J-GLOBAL ID:200903054740511023

テ-パ-付き電極及び電極縁部減衰材料を用いた半導体バルク音響共振器(SBAR)装置の横モ-ド抑制

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 社本 一夫 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-180160
公開番号(公開出願番号):特開2000-031552
出願日: 1999年06月25日
公開日(公表日): 2000年01月28日
要約:
【要約】【課題】 動作特性の改善された半導体バルク音響共振器(SBAR)を提供する。【解決手段】 SBAR20は、横方向伝播音波モードを抑制すべく構成されている。横方向音波モードは、共振器電極26、28の横方向寸法を変えること、及び/又は、ポリイミド等の粘弾性材料のような粘弾性音響減衰材料を電極26、28の周囲の少なくとも一部分に沿って用いて、電極領域内に戻る電極縁部での横音響モードの反射を弱めることによって制御される。
請求項(抜粋):
半導体バルク音響共振器(SBAR)であって、基板と、前記基板上に形成された圧電性材料層と、前記圧電性材料層を間に挟んで形成された一対の電極と、前記共振器の横方向共振を抑制する手段と、を備えた半導体バルク音響共振器。
IPC (2件):
H01L 41/08 ,  H03H 9/17
FI (2件):
H01L 41/08 D ,  H03H 9/17 F
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平4-276915
  • 薄膜圧電素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-289804   出願人:三菱電機株式会社
  • 圧電素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-035191   出願人:松下電器産業株式会社
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