トレンチ構造を有する半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-056157
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249769
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】トレンチの側壁上端角部上に位置する絶縁層の絶縁耐圧が向上された、トレンチ構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 p+型単結晶シリコン基板1の主表面にはトレンチ13が形成される。このトレンチ13の内表面からp+型単結晶シリコン基板1の主表面上にわたってシリコン酸化膜7が形成されている。このシリコン酸化膜7においてトレンチ13の側壁上端角部上に位置するコーナ部7aの厚みは、トレンチ13の側壁上に位置するシリコン酸化膜7の厚みよりも厚くなっている。このシリコン酸化膜7上には、トレンチ13内からp+型単結晶シリコン基板1の主表面上にまで延在するn型多結晶シリコン層8が形成されている。

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成されたトレンチと、前記トレンチ内表面上から前記半導体基板の主表面上に延在するように形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記トレンチ内から前記半導体基板主表面上に延在するように形成された導電層とを備え、前記導電層によって覆われた前記トレンチの側壁上端角部上に位置する前記絶縁層の厚みが、前記上端角部を除く前記トレンチ側壁上に位置する前記絶縁層の厚みよりも大きい、トレンチ構造を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 29/78 321 V , H01L 21/265 W

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-133664
特開昭64-080059
特開昭60-214558

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