特許

J-GLOBAL ID：200903072840412420

磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法

発明者： 庄子 光治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-292840
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100011
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 MR素子の温度上昇を抑制して、エレクトロマイグレーションの発生を有効に防止しながら、シールド間ギャップによる絶縁性の確保を確実なものとする。【解決手段】 シールド間ギャップ4を、少なくともMR素子5と積層方向で重なる位置を含む上部絶縁膜11及び下部絶縁膜12と、一対の磁気シールド層2,3の少なくとも一方及びMR素子5の媒体対向面1aから離間した側(デプスが零となる位置)の端部に接触するように形成された後部絶縁膜13とから構成されるようにする。そして、後部絶縁膜13の材料として、上部絶縁膜11及び下部絶縁膜12に用いるAl2O3やSiO2等に比べて熱伝導率の高い材料、例えば、AlN、SiC、DLC(ダイヤモンドライクカーボン)のいずれか1種以上の絶縁材料を用いる。

請求項（抜粋）：

上下一対の磁気シールド層がシールド間ギャップを介して積層され、磁気抵抗効果を発揮する磁気抵抗効果素子が、その一端部が当該磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気記録媒体と対向する媒体対向面から露出するように、上記シールド間ギャップ中に配設された構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記シールド間ギャップが、少なくとも上記磁気抵抗効果素子と積層方向で重なる位置を含むように形成された上部絶縁膜及び下部絶縁膜と、上記一対の磁気シールド層の少なくとも一方及び上記磁気抵抗効果素子の上記媒体対向面から離間した側の他端部と接触するように形成された後部絶縁膜とからなり、上記後部絶縁膜が、上記上部絶縁膜及び下部絶縁膜に比べて熱伝導率の高い絶縁材料よりなることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12

Fターム (6件)：

5D034AA03 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034BA18 ,  5D034BB08 ,  5D034DA07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-306661   出願人：株式会社日立製作所