特許

J-GLOBAL ID：200903072842299108

プラズマ処理方法

発明者： 野中 龍 ,  小林 義之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237747
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064021
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 処理済みの被処理体を静電チャック上から離す際に、揺れや跳ね上がりなどの現象を起こすことがないプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 処理室2内の静電チャック11上にウエハWを保持し、処理室2内を所定の真空度にし、処理室2内にプラズマを発生させて静電チャック11上の被処理体Wに対して所定のプラズマ処理を施す方法において、プラズマ処理を施した後、処理室2内に気体を導入して処理室2内の圧力を0.5〜3Torrの真空度にした状態で、ウエハWを静電チャック11上から離す。静電チャック11上からウエハWが離れる寸前に静電チャック11の絶縁体表面とウエハW裏面との間で、互いの残留電荷同士が放電を起こして除電が行われ、静電チャック11上からウエハWをスムーズに離すことができる。

請求項（抜粋）：

処理室内に設けられた静電チャック上に被処理体を保持し、前記処理室内を所定の真空度にし、前記処理室内にプラズマを発生させて前記静電チャック上の被処理体に対して所定のプラズマ処理を施す方法において、前記プラズマ処理を施した後、前記処理室内に気体を導入して処理室内を0.5〜3Torrの真空度にした状態で、前記被処理体を前記静電チャック上から離すことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 14/34 J ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/68 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-324697   出願人：富士通株式会社
• 静電吸着された被処理基板の離脱機構を持つプラズマ処理装置および静電吸着された被処理基板の離脱方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-004240   出願人：日電アネルバ株式会社