特許
J-GLOBAL ID：200903072856431122
ハードエッチングマスクの除去方法および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-114575
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302897
出願日： 2004年04月08日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】被エッチング層の腐食やエッチングを抑制しつつ、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜を含むハードエッチングマスクを除去することができるハードエッチングマスクの除去方法および半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】ハードエッチングマスク3aとしてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いて、被エッチング積層膜2のエッチングを行った後、減圧かつ加熱状態のフッ酸蒸気を用いてハードエッチングマスク3aを除去する。例えば、50kPa、60°C以上のフッ酸蒸気を用いる。この方法では、ホウ素や燐を含まないシリコン酸化膜をハードエッチングマスク3aとして使用できるため、ホウ素や燐の汚染がないことや、エッチング後のホウ素や燐の化合物の残渣除去のためのリンスが必要ない。また、金属の腐食が発生しないため、配線材料のエッチングに使用することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
被エッチング層をエッチングするために使用するシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜を含むハードエッチングマスクの除去方法であって、
減圧かつ加熱した状態のフッ化水素の蒸気を含む処理ガスを用いて、前記ハードエッチングマスクを除去する
ハードエッチングマスクの除去方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F004AA06
, 5F004BA19
, 5F004BB15
, 5F004BB26
, 5F004DA00
, 5F004DA20
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004EA03
, 5F004EA34
, 5F004EB02
