特許

J-GLOBAL ID：200903072860978268

フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ンの形成方法、及び半導体素子

発明者： 鄭 載昌 ,  金 明洙 ,  金 亨基 ,  盧 致亨 ,  李 根守 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  卜 ▲ちょる▼圭 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-125381
公開番号（公開出願番号）：特開平11-349637
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：

【要約】【課題】超微細パターンの形成に使用可能なフォトレジストを提供する。【解決手段】下記式(1)で示されるフォトレジスト重合体と、光酸発生剤と、有機溶媒を含むフォトレジストである。【化1】前記式で、R1は側鎖又は主鎖に置換された炭素数0〜10のアルキル、又はベンジル基を示し、R2は炭素数1〜10の1次、2次或いは3次アルコールを示し、m及びnはそれぞれ1〜3の数を示し、X:Y:Zの比は10〜80:10〜80:10〜80のモル%を示す。本発明の重合体は4G、16G DRAMの超微細パターンの形成に使用可能であり、ArF、E-beam、EUV、ion-beamに使用可能である。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で示されるフォトレジスト重合体。【化1】前記式で、R1は側鎖又は主鎖に置換された炭素数0〜10のアルキル、又はベンジル基を示し、R2は炭素数1〜10の1次、2次或いは3次アルコールを示し、m及びnはそれぞれ1〜3の数を示し、X、Y及びZは各共単量体の重合比を示す。

IPC (6件)：

C08F222/40 ,  C08F232/08 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

C08F222/40 ,  C08F232/08 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-191020   出願人：東京応化工業株式会社
• マレイミド系単量体とその製造方法、脂肪族環状オレフィン系単量体とその製造方法、共重合体樹脂とその製造方法、フォトレジストとその製造方法、および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-293899   出願人：現代電子産業株式会社