半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-151177
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356314
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】ナノメータースケールのデバイス設計方法が適用可能な半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】1017cm-3以下の不純物濃度の高抵抗領域と該高抵抗領域を挟む第1の高濃度領域と第2の高濃度領域とを持つシリコン柱と、該高抵抗領域上を囲む絶縁体と、該絶縁体を囲む導電体とを有し、該導電体が、それに印加される電圧によって、該第1の高濃度領域と第2の高濃度領域の間に流れる電流を制御し、かつ該第1の高濃度領域と第2の高濃度領域の間に電流が流れている時に、該高抵抗領域を完全空乏化させる仕事関数を持つ材料からなることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

1017cm-3以下の不純物濃度の高抵抗領域と該高抵抗領域を挟む第1の高濃度領域と第2の高濃度領域とを持つシリコン柱と、該高抵抗領域上を囲む絶縁体と、該絶縁体を囲む導電体とを有し、該導電体が、それに印加される電圧によって、該第1の高濃度領域と第2の高濃度領域の間に流れる電流を制御し、かつ該第1の高濃度領域と第2の高濃度領域の間に電流が流れている時に、該高抵抗領域を完全空乏化させる仕事関数を持つ材料からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78

FI (5件)：

H01L29/78 626A , H01L29/78 652K , H01L29/78 653D , H01L29/78 301X , H01L29/58 G

Fターム (50件)：

4M104AA01 , 4M104BB21 , 4M104BB26 , 4M104BB28 , 4M104BB38 , 4M104CC05 , 4M104FF01 , 4M104GG09 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB04 , 5F110CC10 , 5F110EE05 , 5F110EE11 , 5F110EE22 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG26 , 5F110GG28 , 5F110GG34 , 5F110HJ04 , 5F140AA05 , 5F140AA06 , 5F140AA21 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BF01 , 5F140BF08 , 5F140BF42 , 5F140BF44 , 5F140BF54 , 5F140DB05

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-181533 出願人：株式会社東芝
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-185181 出願人：日本電気株式会社
特開平1-307270

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