特許
J-GLOBAL ID:200903072895853220

気相化学金属堆積のためのフッ素を含まない金属錯体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  斎藤 健治
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-539140
公開番号(公開出願番号):特表2006-501280
出願日: 2003年09月25日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
本発明は新規の銅(I)または銀(I)錯体、及び不純物をほとんど含まない金属銅または銀の気相化学蒸着(gas-phase chemical deposition)のためのこれらの使用に関する。
請求項(抜粋):
以下の式(I):
IPC (5件):
C07C 49/92 ,  C07C 49/175 ,  C07C 205/45 ,  C07F 7/08 ,  C23C 16/18
FI (5件):
C07C49/92 ,  C07C49/175 Z ,  C07C205/45 ,  C07F7/08 W ,  C23C16/18
Fターム (22件):
4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB78 ,  4H048VA56 ,  4H048VA57 ,  4H048VB10 ,  4H049VN01 ,  4H049VP02 ,  4H049VQ04 ,  4H049VR24 ,  4H049VU24 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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