特許
J-GLOBAL ID:200903072895853220
気相化学金属堆積のためのフッ素を含まない金属錯体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
三枝 英二
, 掛樋 悠路
, 斎藤 健治
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-539140
公開番号(公開出願番号):特表2006-501280
出願日: 2003年09月25日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
本発明は新規の銅(I)または銀(I)錯体、及び不純物をほとんど含まない金属銅または銀の気相化学蒸着(gas-phase chemical deposition)のためのこれらの使用に関する。
請求項(抜粋):
以下の式(I):
IPC (5件):
C07C 49/92
, C07C 49/175
, C07C 205/45
, C07F 7/08
, C23C 16/18
FI (5件):
C07C49/92
, C07C49/175 Z
, C07C205/45
, C07F7/08 W
, C23C16/18
Fターム (22件):
4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB78
, 4H048AA01
, 4H048AA03
, 4H048AB78
, 4H048VA56
, 4H048VA57
, 4H048VB10
, 4H049VN01
, 4H049VP02
, 4H049VQ04
, 4H049VR24
, 4H049VU24
, 4K030AA09
, 4K030AA11
, 4K030BA01
, 4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030JA10
, 4K030LA15
引用特許:
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