特許

J-GLOBAL ID：200903072922831269

半導体ウェーハの面取り面研磨方法および装置

発明者： 川口 章 ,  木村 繁 ,  矢野尾 明仁 ,  鶴田 捷二 ,  熊部 重男
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199095
公開番号（公開出願番号）：特開平10-044007
出願日： 1996年07月29日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの面取り面研磨方法および装置において、面取り面を滑らかに形成して半導体ウェーハの加工精度を高めて製造時の歩留りや半導体ウェーハの特性の劣化を抑制することを課題とする。【解決手段】 半導体ウェーハWの周縁に形成された面取り面Mを研磨する半導体ウェーハの面取り面研磨方法であって、前記半導体ウェーハをその円周方向に回転させた状態で、前記面取り面に研磨液を供給しながら研磨布111を押圧状態に当接させて弾性変形させるとともに、該研磨布を面取り面の傾斜に沿って半導体ウェーハの外縁から中心に向けて摺動させ、半導体ウェーハの外側面Sに当接する研磨布の盛り上がり部111bを形成して、半導体ウェーハの面取り面とともに外側面も研磨する技術が採用される。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの周縁に形成された面取り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面研磨方法であって、前記半導体ウェーハをその円周方向に回転させた状態で、前記面取り面に研磨液を供給しながら研磨布を押圧状態に当接させて弾性変形させるとともに、該研磨布を面取り面の傾斜に沿って半導体ウェーハの外縁から中心に向けて摺動させ、半導体ウェーハの外側面に当接する研磨布の盛り上がり部を形成して、半導体ウェーハの面取り面とともに外側面も研磨することを特徴とする半導体ウェーハの面取り面研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 9/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 301

FI (3件)：

B24B 9/00 L ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 301 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-303759
  
• ウエハ外周部の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-196120   出願人：日立電線株式会社