特許

J-GLOBAL ID：200903072929039927

シリコンウェハの窒化方法および窒化装置

発明者： 吉本 昌広 ,  田口 貢士 ,  棚田 裕介
出願人/特許権者： 関西ティー・エル・オー株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-043772
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243387
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 簡便な方法および簡素な構成で、シリコンウェハにダメージを与えることがなく、大きな面積のシリコンウェハにSiN膜を生成することができる。【解決手段】 シリコンウェハの窒化装置21は、シリコンウェハ22を内部空間23に収容する処理容器24と、内部空間23にNH3ガスを供給するガス供給手段25と、シリコンウェハ22を加熱する加熱手段27と、内部空間23に向けて紫外線を照射する紫外線照射手段28とを含んで構成される。窒化装置21では、紫外線の励起エネルギによってNH3ガスを解離してシリコンウェハ22と反応させ、シリコンウェハ22の表面に絶縁膜として使用可能なSiN膜を生成することができる。

請求項（抜粋）：

シリコンウェハを処理容器の内部空間に収容し、前記シリコンウェハが収容される前記処理容器の内部空間にアンモニアガス(NH3)を導入し、前記シリコンウェハを加熱し、前記処理容器の内部空間に向けて紫外線を照射してシリコンウェハを窒化させることを特徴とするシリコンウェハの窒化方法。

Fターム (7件)：

5F058BC08 ,  5F058BF64 ,  5F058BF78 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG10