研究者
J-GLOBAL ID:200901089568377280   更新日: 2024年10月31日

吉本 昌広

ヨシモト マサヒロ | Yoshimoto Masahiro
所属機関・部署:
職名: 学長
ホームページURL (1件): http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/index.php
研究分野 (5件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (11件): シリコン ,  化合物半導体 ,  光デバイス ,  半導体量子界面物性 ,  半金属 ,  半導体 ,  薄膜堆積 ,  結晶成長 ,  Microscopic Spectroscopy ,  Quantum interface properties of semiconductor ,  Epitaxy of semiconductor
競争的資金等の研究課題 (43件):
  • 2016 - 2019 ビスマス含有狭バンドギャップ半金属半導体混晶の創製とフォトニックデバイスへの応用
  • 2012 - 2015 発振波長が温度に依存しない希釈ビスマスIII-V族半導体レーザの実現
  • 2010 - 2012 次世代発光デバイス用新材料および量子ドット構造への光照射劣化の研究
  • 2009 - 2011 発振波長が温度に依存しないレーザ用希釈ビスマスIII-V族半導体超格子に関する研究
  • 2007 - 2008 希釈ビスマスIII-V族半金属半導体混晶GaInAsBiの創製と物性制御
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論文 (168件):
  • Ryo Ueda, Hiroyuki Nishinaka, Hiroki Miyake, Masahiro Yoshimoto. Enhancing growth rate in homoepitaxial growth of β-Ga2O3 with flat surface via hydrochloric acid addition in mist CVD. AIP Advances. 2024. 14. 8
  • Gan Feng, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto. Bismuth Containing III-V Quaternary Alloy InGaAsBi Grown by MBE. physica status solidi (a). 2024
  • Keisuke Watanabe, Hiroyuki Nishinaka, Yuuya Nishioka, Kousuke Imai, Kazutaka Kanegae, Masahiro Yoshimoto. The deposition and the optical characteristics of Cu-based metal halide Cs3Cu2I5 thin film via mist deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 5
  • Masahiro Kaneko, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto. Crystallographic and band structure analysis of β-(AlxGa1-x)2O3/β-(InyGa1-y)2O3 thin film grown on β-Ga2O3 substrate via mist CVD. AIP Advances. 2024. 14. 4
  • Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto. Heteroepitaxial growth of a-, m-, and r-plane α-Ga2O3 thin films on rh-ITO electrodes for vertical device applications. Journal of Crystal Growth. 2024. 630
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MISC (9件):
  • 西中浩之, 上田修, 迫秀樹, 池永訓昭, 宮戸祐治, 蓮池紀幸, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広. ε-GaFeO3基板を用いた単一ドメインκ-Ga2O3の成長. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
  • 木下 雄介, 富永 依里子, 尾江 邦重, 吉本 昌広. 分子線エピタキシー法によるGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作. 電子情報通信学会技術研究報告. PN, フォトニックネットワーク. 2008. 107. 464. 107-110
  • SASAKI T., MINAMI H., KISODA K., YOO W. S., YOSHIMOTO M., HARIMA H. UV-VIS Raman Characterization of High Dose Ultra Shallow Implanted Silicon before and after Excessive Annealing. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 2007. 2007. 360-361
  • 吉本 昌広, 西垣 宏, 播磨 弘, 一色 俊之, KANG Kitaek, YOO Woo Sik. 急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2006. 106. 417. 25-30
  • 田口 貢士, 吉本 昌広, 更家 淳司. 有機液体原料を用いたリモートプラズマCVD法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2002. 102. 540. 29-32
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特許 (29件):
書籍 (7件):
  • Molecular Beam Epitaxy: Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics
    Wiley 2019 ISBN:9781119355014
  • Molecular Beam Epitaxy 2nd Edition
    Elsevier 2018 ISBN:9780128121368
  • 日本復活の鍵起業工学
    富山房インターナショナル 2016 ISBN:9784866000084
  • Molecular beam epitaxy : from research to mass production
    Elsevier 2013 ISBN:9780123878397
  • Bismuth-containing compounds
    Springer 2013 ISBN:9781461481201
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講演・口頭発表等 (34件):
  • Microstructures of ε-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> thin film on (100) TiO<inf>2</inf> substrate by mist chemical vapor deposition
    (IMFEDK 2019 - International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2019)
  • ミストCVD法によるn<sup>+</sup>-Si(100)基板上への強誘電体HfO<sub>2</sub>薄膜の作製とその電気的特性
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019)
  • Heteroepitaxial growth of ε-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>thin films on cubic (111) GGG substrates by mist chemical vapor deposition
    (IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2017)
  • 発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現 (機構デバイス)
    (電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014)
  • GaAsBi Laser Diodes with Low Temperature Dependence of Lasing Wavelength
    (2014 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO) 2014)
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Works (4件):
  • 発振波長温度無依存レーザの開発
    2005 - 2018
  • 窒素ラジカルビームを用いた大面積薄膜製造装置の試作
    2005 -
  • サブミクロン解像度極低温顕微ルミネセンス装置
    2002 - 2004
  • Control in electronic properties of wide gapsemiconductor and its application to energy electronics
    1997 - 1998
学歴 (2件):
  • 1983 - 1988 京都大学 工学研究科 電気工学第二専攻
  • 1979 - 1983 京都大学 工学部 電子工学科
学位 (1件):
  • 工学博士 (京都大学)
経歴 (8件):
  • 2018/04 - 現在 京都工芸繊維大学 理事
  • 2015/04 - 現在 京都工芸繊維大学 副学長
  • 2007/04 - 2018/03 京都工芸繊維大学 電子システム工学部門 教授
  • 2004/04 - 2007/03 京都工芸繊維大学 地域共同研究センター 教授
  • 1997/03 - 2004/03 京都工芸繊維大学 電子情報工学科 助教授
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受賞 (2件):
  • 2016 - 応用物理学会 第10回(2016)フェロー表彰 ビスマス系半金属半導体の高品質単結晶成長とバンド構造制御
  • 2014 - 日本学術振興会 科学研究費助成事業 平成26年度審査委員表彰
所属学会 (12件):
IEEE ,  Materials Research Society ,  The Electrochemical Society ,  日本材料学会 ,  電気学会 ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会 ,  The Society of Materials Science, Japan ,  The Institute of Electrical Engineers of Japan ,  Information and Communication Engineers ,  The Institute of Electronics ,  The Japan Society of Applied Physics
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