特許

J-GLOBAL ID：200903072932510452

トランジスタの構造及び製造方法

発明者： ション・ゲ・バク
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-258198
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144805
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、トランジスタに関するもので、特にSRAMセルのアクセストランジスタが低電圧動作のに適するようにしたトランジスタの構造及び製造方法に関する。【解決手段】 本発明トランジスタはその活性領域に窪み部を形成させたことを特徴とするものである。また、本発明は、これをアクセストランジスタとして使用したSRAMである。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に形成されたフィールド領域で区画された活性領域と、前記活性領域に形成させた窪み部と、前記窪み部を含む活性領域上に形成させたゲート電極と、前記活性領域のゲート電極の両側に形成された不純物領域とを含むことを特徴とするトランジスタの構造。

IPC (3件)：

H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 301 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-129657
  
• 特開平2-197137
  
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-290432   出願人：日本電気株式会社