特許

J-GLOBAL ID：200903080522550409

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 水嶋 和之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-290432
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130253
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】 内部回路との特性の両立が可能なスレッショルド電圧クランプ方式の入力保護回路を製造工程を増やすことなく製造可能とする。【構成】 入力保護回路2を構成するMOSFETのゲート酸化膜21を、内部回路1に構成されるMOSFETのゲート酸化膜15よりも厚く、かつ素子分離領域として構成されるフィールド酸化膜14よりも薄く形成する。このゲート酸化膜21の製造に際しては、フィールド酸化膜14を形成するための耐酸化膜を、入力保護回路2のMOSFETのゲート領域において微細幅でかつ微小間隔で配列し、これら微小間隔の領域において半導体基板11の表面を選択酸化する方法を採用する。

請求項（抜粋）：

フィールド酸化膜を素子分離領域とし、かつMOSFETで構成される内部回路を備える半導体集積回路装置において、前記MOSFETのゲート酸化膜よりも厚く、前記フィールド酸化膜よりも薄いゲート酸化膜を備えるMOSFETで入力保護回路を構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 321 H ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-053070
  
• 特開昭61-292353
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-194875   出願人：新日本製鐵株式会社