特許

J-GLOBAL ID：200903072936330688

半導体メモリ装置及びその製造方法

発明者： ジョン・ミン・ション
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-366504
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251555
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体平板キャパシタの接着性を向上させ、且つ電極として用いる白金と白金下部の接着層との相互拡散の問題を防止して信頼度を向上させる半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 従来接着装を形成させて電極の白金と強誘電体とを接着していたのを、本発明の半導体メモリ装置は、白金と強誘電体とを格子整合をとることによって強固に接着されるようにした。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された常誘電膜と、前記常誘電膜上に形成された第1電極と、前記第1電極上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された第2電極とを備えることを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 621 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-248089
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-165551   出願人：セイコーエプソン株式会社