特許
J-GLOBAL ID：200903072956056566
シリコン系薄膜、光起電力素子、シリコン系薄膜の形成方法及び光起電力素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011753
公開番号（公開出願番号）：特開平11-310495
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 高い成膜速度で製造でき、光電変換特性の優れたシリコン系薄膜及び光起電力素子を提供する。【解決手段】 1ppm以上のリン原子を含有し、エックス線又は電子線回折による(220)の回折強度の割合が全回折強度の30%以上であることを特徴とするシリコン系薄膜、該シリコン系薄膜を有する光起電力素子、該シリコン系薄膜の形成方法及び該光起電力素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
1ppm以上のリン原子を含有し、エックス線又は電子線回折による(220)の回折強度の割合が全回折強度の30%以上であることを特徴とするシリコン系薄膜。
IPC (4件)：
C30B 29/06
, C30B 29/06 504
, C23C 16/50
, H01L 31/04
C30B 29/06 A
, C30B 29/06 504 A
, C23C 16/50 B
, H01L 31/04 B
