半導体ウェーハの測定方法及び発光素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-024714
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231778
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】発光素子を始めとする電子デバイス用の半導体ウェーハの、輝度等の電気的特性の良否を、非破壊により簡便に判定することができる半導体ウェーハの測定方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハの電気的特性を測定する一方、該半導体ウェーハの主表面に、半導体結晶格子により回折現象を起こしうる一定波長の入射線ビームを入射させたときの、該半導体単結晶基板からの特定結晶面に由来する回折線の測定を行ない、該回折線の測定情報と電気的特性との関係(回折線/特性関係)を決定する。そして、評価対象となる半導体ウェーハに対し入射線ビームを入射させて回折線の測定を行ない、その測定結果と回折線/特性関係とに基づいて、当該評価対象となる半導体ウェーハの電気的特性を推定する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの電気的特性を測定する一方、該半導体ウェーハの主表面に、半導体結晶格子により回折現象を起こしうる一定波長の入射線ビームを入射させたときの、半導体単結晶からの特定結晶面に由来する回折線の測定を行ない、該回折線の測定情報と前記電気的特性との回折線/特性関係を決定するとともに、評価対象となる半導体ウェーハに対し前記入射線ビームを入射させて前記回折線の測定を行ない、その測定結果と前記回折線/特性関係とに基づいて、当該評価対象となる半導体ウェーハの電気的特性を推定することを特徴とする半導体ウェーハの測定方法。

Fターム (7件)：

4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106BA20 , 4M106CB17 , 4M106DH25 , 4M106DH34 , 4M106DJ20

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭49-036272
特開昭49-036272
特開平2-098984

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