特許

J-GLOBAL ID：200903072969501321

耐プラズマ性を有する半導体製造装置用部材およびその作製方法

発明者： 岩澤 順一 ,  鳩野 広典 ,  寺田 直哉 ,  麻生 雄二 ,  清原 正勝
出願人/特許権者： 東陶機器株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-025260
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217349
出願日： 2004年02月02日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】 耐プラズマ性部材からの脱粒の発生を抑制・低減する必要がある。そのためにはポアや粒界層が存在せず、仮に脱粒が発生したとしても、半導体デバイスや半導体製造装置内の部材などへ悪影響を与えない、脱粒の大きさが非常に小さな耐プラズマ性部材を提供する。【解決手段】 本発明では、半導体製造装置用部材のプラズマに曝される面側に形成する層状構造物において、その層状構造物を構成するイットリア多結晶体の平均結晶粒径を70nm未満とすることにより、プラズマ雰囲気に曝されても脱粒を抑制・低減でき、仮に脱粒が発生したとしても脱粒の大きさを小さくできることを可能とした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

耐プラズマ性が必要とされる半導体製造装置用部材において、少なくともプラズマに曝される面側に、平均結晶粒径が70nm未満のイットリア多結晶体から成る層状構造物が形成されていることを特徴とする半導体製造装置用部材。

IPC (4件)：

H01L21/68 ,  C23C24/04 ,  C23C26/00 ,  H01L21/3065

FI (5件)：

H01L21/68 N ,  H01L21/68 R ,  C23C24/04 ,  C23C26/00 C ,  H01L21/302 101G

Fターム (23件)：

4K044AA06 ,  4K044AB10 ,  4K044BA12 ,  4K044BB02 ,  4K044BC02 ,  4K044BC05 ,  4K044CA23 ,  4K044CA27 ,  4K044CA29 ,  4K044CA53 ,  5F004AA16 ,  5F004BB29 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F031CA02 ,  5F031DA12 ,  5F031EA01 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA10 ,  5F031HA16 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32

引用特許：

出願人引用 (1件)

• プラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-047278   出願人：東京エレクトロン株式会社