特許

J-GLOBAL ID：200903072984034942

レジストパターン形成方法

発明者： 井谷 俊郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021400
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223503
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 現像後のレジストパターンがT型形状になることを防止できると共に、諸特性の向上並びにデバイスパターンの高集積化を計り得るレジストパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 このレジストパターン形成方法では、レジスト溶剤の沸点に対応してプリベーク温度及び時間を調節して光酸発生剤から発生する酸のレジスト膜中での拡散長を制御しているため、溶解コントラストを最適に維持したまま酸拡散長の最適化を具現できる。これにより、レジスト性能に最も大きく影響する溶解特性の傾きを大きくして高解像性を確保できる上、酸拡散長が適正化されるため、現像後にウェハ301上に得られるレジストパターン302がT型形状になることを防止でき、解像性,焦点深度,寸法精度等の諸特性が向上すると共に、矩形なレジストパターンの形成が可能となる。

請求項（抜粋）：

少なくともアルカリ難溶の保護基を有するベース樹脂と光酸発生剤とから化学増幅ポジ型レジストパターンを形成する際、該光酸発生剤から発生する酸のレジスト膜中での拡散長を15nm〜35nmに規制することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/004 503

FI (2件)：

H01L 21/30 566 ,  G03F 7/004 503 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-075062
  
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-203903   出願人：株式会社東芝