特許
J-GLOBAL ID：200903092377543359
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203903
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057997
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 微細なレジストパターンの形成を可能にする化学増幅型レジストを用いたパターン形成方法を提供する。【構成】 露光後ベークを行なう前におけるレジスト層中の残留溶媒量が、複数の基板において均一となるように制御するパターン形成方法である。残留溶媒量は、露光後ベークまでの環境の溶媒量を積極的に増加させて、複数の基板の残留溶媒量を均一に増加させること、圧力又は温度の少なくとも一方を制御して、複数の基板の残留溶媒量を減少させることによって一定に制御する。また、ベーク温度より絶対温度で1.10倍以上高い沸点を有する溶媒をレジスト内に含有させて、レジスト層中に酸触媒用の拡散パスを設けることも有用である。
請求項（抜粋）：
複数の異なる基板に化学増幅型レジストを塗布し、レジスト層を形成する工程、前記レジストが塗布された前記基板をプレベークする工程、プレベーク後の前記基板を露光する工程、露光後の基板を露光後ベークする工程、及び露光後ベークが終了した基板を現像する工程を具備し、前記露光後ベークする工程直前におけるレジスト層中の残留溶媒量が、複数の基板間において均一であることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/38 501
H01L 21/30 566
, H01L 21/30 571
