特許
J-GLOBAL ID:200903072991181810

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-121281
公開番号(公開出願番号):特開2000-311972
出願日: 1999年04月28日
公開日(公表日): 2000年11月07日
要約:
【要約】【課題】本発明の目的は、低熱膨張,高熱伝導で、かつ加工性に優れた放熱板を用いた信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】本発明は、パワー半導体チップおよびダイオードチップを絶縁基板上の共通電極板に複数個配列し、かつ絶縁基板と接合された放熱基板を有す半導体装置において、前記絶縁基板がAl2O3を主体とする無機酸化物であり、かつ前記放熱基板に金属と該金属よりも熱膨張率が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料を用いたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
半導体素子が絶縁基板上の共通電極板に複数個搭載され、前記絶縁基板の前記素子搭載面の反対面側に接合された放熱基板を有す半導体装置において、前記絶縁基板がAl2O3を主体とする無機酸化物であり、かつ前記放熱基板が金属と該金属よりも熱膨張率が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/373 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件):
H01L 23/36 M ,  H01L 25/04 C
Fターム (4件):
5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD01 ,  5F036BD11
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭57-122550
  • 特開昭64-012404
  • 複合材料
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-259144   出願人:住友特殊金属株式会社
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