特許
J-GLOBAL ID：200903072997272109

クロム膜のエッチング方法

発明者：
城戸 秀作

城戸 秀作 について


出願人/特許権者：
鹿児島日本電気株式会社

鹿児島日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-294365
公開番号（公開出願番号）：特開平11-131263
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：
【要約】【課題】クロム膜回路のエッチングテーパー形状の安定化を図ったクロム膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】フォトリソグラフィ法等によりクロム膜上にエッチングフォトレジストを形成し(S1〜S3)、前記エッチングフォトレジストを温度50°C乃至100°Cの温水に浸漬処理(S4)後、硝酸第2セリウムアンモニウムを10〜20重量%、硝酸を5〜10重量%含む水溶液で前記エッチングフォトレジスト非被覆部のクロム膜をエッチングする(S5)。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィ法等によりクロム膜上にエッチングフォトレジストを形成する工程と、前記エッチングフォトレジストを温度50〜100°Cの温水に浸漬処理する工程と、硝酸系エッチング液に浸漬し、前記レジスト膜マスク非被覆部のクロム膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とするクロム膜のエッチング方法。
IPC (5件)：
C23F 1/26 ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/40 521 ,  H01J 9/02 ,  H01L 21/306
FI (5件)：
C23F 1/26 ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/40 521 ,  H01J 9/02 F ,  H01L 21/306 Q
引用特許：
審査官引用 (3件)

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