回路パターンの検査方法及び検査装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-210150
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118158
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】半導体装置等基板上で発生した回路パターンの欠陥、異物、残渣等を電子線をウエハに入射して二次電子像を比較することにより検査する方法において、絶縁材料を有する回路パターンを高速に且つ安定して高精度に検査可能とする。【解決手段】被検査基板9に対して、高速に大電流の電子線19を1回あるいは数回のみ照射して回路パターンの部材の電位が変動する前に電子線画像を形成する。また、検査用画像を形成するための第一の電子線以外に第二の荷電粒子線104を被検査基板9に照射し、回路パターンの部材の電位状態を安定させた後に検査を実施する。また、二次電子検出信号をデジタル化してから転送し、高効率に高SN比で良質な電子線画像を取得する。【効果】上記検査方法を用いることにより、絶縁材料を有する回路パターンの検査が可能となった。これにより半導体装置をはじめとする各種基板製造プロセスの過程で発生した従来技術では検知できない不良や異常を発見できるようになり、基板製造プロセスの不良率を低減し信頼性を向上した。

請求項（抜粋）：

回路パターンが形成された基板表面の第一の領域を一次電子線で走査する工程と、上記一次電子線により上記第一の領域から二次的に発生する信号を検出する工程と、検出された信号から該第一の領域の電子線画像を形成する工程と、該第一の領域の電子線画像を記憶する工程と、該基板の第二の領域を一次電子線で走査する工程と、上記一次電子線により上記第二の領域から二次的に発生する信号を検出する工程と、検出された信号から該第二の領域の電子線画像を形成する工程と、該第二の領域の電子線画像を記憶する工程と、該第一の領域の記憶された画像と該第二の領域の記憶された画像を比較する工程と、比較結果から基板上回路パターンの欠陥を判定する工程を含む検査方法であって、第一の領域と第二の領域を一次電子線で走査する工程において該基板の検査対象となるパターンの特徴よりも充分大きい領域の平均帯電量が実質的に均一になるように電子線を走査して対象領域の電子線画像を形成することを特徴とする回路パターンの検査方法。

IPC (6件)：

H01L 21/66 , G01B 15/00 , G01R 31/02 , H01J 37/20 , H01J 37/28 , H01L 21/027

FI (6件)：

H01L 21/66 J , G01B 15/00 B , G01R 31/02 , H01J 37/20 H , H01J 37/28 B , H01L 21/30 502 V

Fターム (38件)：

2F067AA54 , 2F067BB01 , 2F067CC16 , 2F067CC17 , 2F067EE03 , 2F067EE04 , 2F067HH06 , 2F067HH13 , 2F067JJ05 , 2F067KK04 , 2F067LL15 , 2F067PP12 , 2F067QQ01 , 2F067QQ11 , 2F067QQ13 , 2F067RR12 , 2F067RR35 , 2G014AA01 , 2G014AA02 , 2G014AA03 , 2G014AB51 , 2G014AC11 , 4M106AA01 , 4M106AA09 , 4M106BA02 , 4M106CA39 , 4M106DB05 , 4M106DH33 , 4M106DJ11 , 4M106DJ18 , 5C001AA03 , 5C001AA07 , 5C001BB07 , 5C001CC04 , 5C033UU01 , 5C033UU03 , 5C033UU05 , 5C033UU06

引用特許：

審査官引用 (1件)

荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-124458 出願人：ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション

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