太陽電池の製造方法および太陽電池構造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022683
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219531
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】低温プロセスを用いてキャリアの再結合の防止を図ることが可能な太陽電池の製造方法およびその構造を提供することを目的とする。【解決手段】 n型拡散層形成後にリン酸処理工程を行うことにより、低温プロセスで簡単にキャリアの再結合を防止することができる。

請求項（抜粋）：

p型半導体基板上にn型半導体領域を形成して太陽電池を製造するにあたり、上記n型半導体領域表面に低温域でリン酸処理を施す工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 31/04 X , H01L 21/318 B , H01L 31/04 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

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