特許

J-GLOBAL ID：200903084710959670

太陽電池素子の製造方法

発明者： 福井 健次 ,  白沢 勝彦 ,  高山 道寛
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116996
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326784
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【構成】 PN接合部を有する半導体基板の一主面側に第一の反射防止膜を形成すると共に、この半導体基板の一主面側と他の主面側に電極を形成した後、前記第一の反射防止膜上に第二の反射防止膜を形成して、この第二の反射防止膜の表面部分をリアクティブイオンエッチング法によって粗面化する。【効果】 粗面化するために要する処理時間は非常に短く、製造コストを低下させることができる。また、面方位が不均一な多結晶シリコン基板を用いた太陽電池素子でも均一に低反射構造が得られる。

請求項（抜粋）：

PN接合部を有する半導体基板の一主面側に第一の反射防止膜を形成すると共に、この半導体基板の一主面側と他の主面側に電極を形成した後、前記第一の反射防止膜上に第二の反射防止膜を形成して、この第二の反射防止膜の表面部分をリアクティブイオンエッチング法によって粗面化する太陽電池素子の製造方法。

FI (2件)：

H01L 31/04 F ,  H01L 31/04 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-124991   出願人：シャープ株式会社
• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-361560   出願人：ルドルフ・ヘツェル
• 特開平4-107881