特許

J-GLOBAL ID：200903073068359441

薄膜成膜装置および成膜方法

発明者： 井内 敬彰 ,  山室 崇 ,  赤井 博之 ,  中村 正
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-082811
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275100
出願日： 1996年04月04日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】 薄膜成膜装置を使用して基板上にSi酸化膜を形成する場合、反応室内に堆積物が付着し、次の薄膜成膜工程において堆積物が基板に付着して汚染源となり膜質が低下するという問題点があった。【解決手段】 金属製反応室内1の基板設置台3を含む内壁をフッ素樹脂製カバー10で覆い、基板設置台3に薄板状基板2を載置した後、H2O2とSiH4とを薄板状基板2表面に供給してSi酸化膜の成膜を行う。薄板状基板2を取り出した後、無水フッ酸と水蒸気とを同時に反応室1内に導入して反応室1内に付着したSi酸化膜の堆積物を除去する。【効果】 反応室内が腐食されることなく、反応室内の堆積物を短時間に確実に除去することのできる薄膜成膜装置および成膜方法が得られる効果がある。

請求項（抜粋）：

反応室と、上記反応室内において基板を載置する基板設置台と、上記基板にSi酸化膜を形成するための成膜ガス供給手段と、上記Si酸化膜形成時に上記反応室内に付着した堆積物を除去するための水蒸気と無水フッ酸とを同時に供給する堆積物除去ガス供給手段とを備えたことを特徴とする薄膜成膜装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/44

FI (3件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/44 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-094059
  
• 特開平3-218017
  
• 成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-142715   出願人：新日本製鐵株式会社