特許
J-GLOBAL ID:200903073071779451

テスト電位転送回路およびこれを用いた半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 則近 憲佑
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-027103
公開番号(公開出願番号):特開平7-234265
出願日: 1994年02月25日
公開日(公表日): 1995年09月05日
要約:
【要約】【構成】 テスト時に高電位が印加されるテスト制御パッド31と、テスト時に信号レベルが電源電位よりも高いテスト電位が印加されるテスト信号パッド32と、テスト制御パッド31に接続され、当該テスト制御パッドに印加された高電位を検出しテスト制御信号TESTを発生する高電位検出回路1と、電源がテスト制御パッド31より供給され、テスト制御信号の振幅レベルをシフトさせ高レベルが高電位である駆動信号を出力するレベルシフト回路2と、ドレインがテスト信号パッド32に接続されゲートが駆動信号により駆動されるMOSトランジスタQ3 からなり、MOSトランジスタのソースよりテスト電位を内部に転送することを特徴とするテスト電位転送回路。【効果】 本発明を用いると、昇圧回路を不要とした低占有面積のテスト電位転送回路を提供できる。
請求項(抜粋):
テスト時に高電位が印加されるテスト制御パッドと、テスト時に信号レベルが電源電位よりも高いテスト電位が印加されるテスト信号パッドと、前記テスト制御パッドに接続され、当該テスト制御パッドに印加された前記高電位を検出しテスト制御信号を発生する高電位検出回路と、電源が前記テスト制御パッドより供給され、前記テスト制御信号の振幅レベルをシフトさせ高レベルが前記高電位である駆動信号を出力するレベルシフト回路と、ドレインが前記テスト信号パッドに接続されゲートが前記駆動信号により駆動されるMOSトランジスタからなり、前記MOSトランジスタのソースよりテスト電位を内部に転送することを特徴とするテスト電位転送回路。
IPC (7件):
G01R 31/28 ,  G11C 11/407 ,  G11C 29/00 303 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 491
FI (3件):
G01R 31/28 V ,  G11C 11/34 354 D ,  H01L 27/04 T
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-071975   出願人:株式会社東芝
  • 特開昭63-239683
  • 特開平4-085848

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