特許
J-GLOBAL ID:200903073124897435

酸化物薄膜の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-335162
公開番号(公開出願番号):特開2005-097698
出願日: 2003年09月26日
公開日(公表日): 2005年04月14日
要約:
【課題】 酸化物薄膜の品質を向上することができ、かつ酸化物薄膜を形成する際のコストを低減することができる酸化物薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の酸化物薄膜の形成方法は、ターゲット3から発生したプラズマプルーム13により基板6上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の形成方法であって、アルゴンガスと酸素ガスとを供給した真空チャンバ2内において、ターゲット3と基板6との間に磁場を加えた状態で、ターゲット3からプラズマプルーム13を発生させる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ターゲットから発生したプラズマプルームにより基板上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の形成方法であって、 希ガス元素よりなるガスと酸素ガスとよりなる雰囲気において、前記ターゲットと前記基板との間に磁場を加えた状態で、前記ターゲットから前記プラズマプルームを発生させることを特徴とする、酸化物薄膜の形成方法。
IPC (1件):
C23C14/34
FI (1件):
C23C14/34 M
Fターム (1件):
4K029CA06
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • レーザースパッター装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-116642   出願人:住友重機械工業株式会社
  • 特開平4-311565号公報

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