特許
J-GLOBAL ID：200903073135477071
シリコンゲルマニウムナノワイヤーとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-228151
公開番号（公開出願番号）：特開2004-067433
出願日： 2002年08月06日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】半導体等の情報通信用デバイス材料等として有用で、多様な組成および形態が簡便に実現できる新しいシリコンゲルマニウムナノワイヤーとその製造方法を提供する。【解決手段】原料としての粒径が50μm以下のシリコン粉末およびゲルマニウム粉末をロッド状に成形した後、不活性ガス気流中で溶融させることにより、その成形体より直径がナノメートルオーダーのナノワイヤーを成長させて、組成が、一般式SixGe1-x(式中、0<x<1)で表され、直径が数十〜数百nmで、長さが数100μmのナノワイヤーであることを特徴とするシリコンゲルマニウムナノワイヤーとする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
組成が、一般式SixGe1-x(式中、0<x<1)で表されるナノワイヤーであることを特徴とするシリコンゲルマニウムナノワイヤー。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4G072AA20
, 4G072BB04
, 4G072BB20
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072JJ09
, 4G072MM01
, 4G072NN05
, 4G072RR07
, 4G072UU01
