特許
J-GLOBAL ID:200903073147293227
低交流損失酸化物超電導導体及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-334988
公開番号(公開出願番号):特開2007-141688
出願日: 2005年11月18日
公開日(公表日): 2007年06月07日
要約:
【課題】本発明は、分断した個々のフィラメント導体どうしの絶縁性を高めることができ、低交流損失の酸化物超電導体を得ることができる技術の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、基体1上に酸化物超電導層6が設けられてなる低交流損失超電導導体Aにおいて、前記酸化物超電導層6が、前記基体1の長さ方向に沿って前記基体の幅方向に複数形成された細線化溝3により複数のフィラメント導体2に分離されてなり、前記細線化溝3に高抵抗酸化物8が形成されてなることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基材上に酸化物超電導層が設けられてなる酸化物超電導導体において、前記酸化物超電導層が、前記基材の長さ方向に沿って前記基材の幅方向に複数形成された細線化溝により複数のフィラメント導体に分離されてなり、前記細線化溝に高抵抗酸化物が形成されてなることを特徴とする低交流損失酸化物超電導導体。
IPC (4件):
H01B 12/06
, H01B 13/00
, H01F 6/06
, H01L 39/24
FI (4件):
H01B12/06
, H01B13/00 565D
, H01F5/08 B
, H01L39/24 B
Fターム (18件):
4M113AD35
, 4M113AD36
, 4M113BA04
, 4M113CA34
, 5G321AA02
, 5G321AA04
, 5G321BA03
, 5G321BA14
, 5G321CA04
, 5G321CA09
, 5G321CA21
, 5G321CA24
, 5G321CA27
, 5G321CA28
, 5G321CA38
, 5G321CA41
, 5G321CA99
, 5G321DB37
引用特許:
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