特許

J-GLOBAL ID：200903073151570324

半導体記憶装置

発明者： 首藤 晋 ,  遠藤 哲郎 ,  有留 誠一 ,  田中 智晴 ,  白田 理一郎 ,  百冨 正樹 ,  中村 寛 ,  渡辺 重佳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216280
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066304
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 メモリセルの微細化を必要とすることなく、記憶容量の大容量化をはかることのできる半導体記憶装置を提供すること。【構成】 3値のデータを記憶可能なメモリセルの2個X,Yを1組として基本セル20を構成し、基本セル20を複数個配置してなるセルアレイと、3ビットの2値データと3値データとの間でデータ変換するデータ変換回路23と、3値データを基本セル20に記憶させる機構と、各基本セルから3値データを読み出す機構とを備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

m値(m≧3)のデータを記憶可能なメモリセルのn個を1組として基本セルを構成し、該基本セルを複数個配置してなるセルアレイと、各々の基本セルにそれぞれk(2k ≦mn )ビット分のデータを記憶させる手段とを具備してなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792