特許
J-GLOBAL ID:200903073161346694

半導体用治工具及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井内 龍二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-228648
公開番号(公開出願番号):特開平8-067581
出願日: 1994年08月30日
公開日(公表日): 1996年03月12日
要約:
【要約】【構成】 炭化珪素及び金属シリコンからなる炭化珪素質材料で形成され、ガス不透過性を有する半導体用治工具において、表面に存在するボイドの径が10μm以下である半導体用治工具。【構成】 環境からの汚染が少なく、また酸等により容易に不純物等を除去することができ、半導体素子等の熱処理工程等において半導体素子等の汚染を防止することができる。
請求項(抜粋):
炭化珪素及び金属シリコンからなる炭化珪素質材料で形成され、ガス不透過性を有する半導体用治工具において、表面に存在するボイドの径が10μm以下であることを特徴とする半導体用治工具。
IPC (2件):
C04B 41/85 ,  H01L 21/68
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平1-115888
  • 特開昭62-017088
  • ウェハ保持装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-087163   出願人:前川俊一, 双栄通商株式会社

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