シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319970
公開番号（公開出願番号）：特開2001-139399
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：

【要約】【課題】埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】イオン注入後の結晶回復のための熱処理を水素雰囲気中にて行うことで、注入前酸化処理を行わなくともイオン注入層71,72への面荒れ発生が極めて効果的に抑制される。その結果、埋込イオン注入層71’,72’を有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、注入前酸化処理の省略、ひいてはフォトレジスト膜のみをマスク64として用いたイオン注入が実現される。注入前酸化を含めたエピタキシャル層3への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層71’,72’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。また、酸化膜の形成/除去が不要となる結果、エピタキシャルウェーハ製造の工程数を劇的に減ずることができる。

請求項（抜粋）：

第一エピタキシャル層中に不純物元素をイオン注入してイオン注入層を形成し、その上に第二エピタキシャル層を気相成長して積み重ねることにより、前記イオン注入層を前記第一エピタキシャル層と前記第二エピタキシャル層との間に埋め込んで埋込層となすシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記第一エピタキシャル層の表面に、フォトレジスト膜からなるイオン注入用マスクを直接形成するマスク形成工程と、前記イオン注入用マスクが形成された前記第一エピタキシャル層に対して前記イオン注入を行うイオン注入工程と、該イオン注入工程の終了後、前記第二エピタキシャル層を気相成長させるのに先立って行う水素熱処理工程と、該水素熱処理工程が終了した後に、前記第二エピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程とを含むことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 504 , H01L 21/266 , H01L 21/265 602 , H01L 21/336

FI (4件)：

C30B 29/06 504 K , H01L 21/265 602 A , H01L 21/265 M , H01L 29/78 658 E

Fターム (7件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB30 , 4G077EE08 , 4G077EE10 , 4G077FB07 , 4G077HA06

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平2-096328
特開昭57-106046
特開昭63-313861

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審査官引用 (8件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-238831 出願人：ソニー株式会社
特開平2-096328
特開平2-096328

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