薄膜状光触媒、その作製方法、およびその薄膜状光触媒を用いた硫化水素の処理方法と水素の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：舘野千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385517
公開番号（公開出願番号）：特開2003-181297
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2003年07月02日
要約：

【要約】【課題】硫化水素に作用して硫黄と水素を発生させることができ、取り扱いに便利な薄膜状光触媒を提供する。【解決手段】化合物半導体の原料となる化学種を含む溶液62中に基材63を浸漬し、CBD法により該基材表面に化合物半導体を析出・固定化させて化合物半導体による薄膜状光触媒を作製する。CBD法において、錯化剤と緩衝剤を選択的に用いることにより、前駆体となる化学種(例えばZn)を含む溶液に基材を浸し、溶液と基材表面との間で不均一反応を進行させることによって薄膜を基材上に選択的に析出させて、ZnSやZnOなどの薄膜状光触媒を作製する。

請求項（抜粋）：

基材上に化合物半導体よりなる層が固定化され、該化合物半導体は酸素原子を含むことを特徴とする薄膜状光触媒。

IPC (7件)：

B01J 35/02 , B01J 19/00 , B01J 23/06 , B01J 27/04 , B01J 37/02 301 , C01B 3/04 , C01B 17/05

FI (7件)：

B01J 35/02 J , B01J 19/00 K , B01J 23/06 M , B01J 27/04 M , B01J 37/02 301 M , C01B 3/04 Z , C01B 17/05 Z

Fターム (20件)：

4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069BB04A , 4G069BB04B , 4G069BB09A , 4G069BB09B , 4G069BC35A , 4G069BC35B , 4G069BC36A , 4G069BC36B , 4G069CD10 , 4G069DA06 , 4G069EA08 , 4G069FA01 , 4G069FA03 , 4G075AA24 , 4G075BA10 , 4G075BB10 , 4G075CA51 , 4G075DA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

光触媒、その製造方法並びに光触媒使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-005812 出願人：田路和幸, 同和鉱業株式会社
特開昭62-065743
特開昭60-118239

引用文献：

審査官引用 (2件)

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