特許

J-GLOBAL ID：200903073185772350

半導体薄膜

発明者： 饗場 利明
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258275
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073704
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】 多元系の酸化物薄膜を作製する場合に、面内方向に組成分布が生じ難い酸化物半導体薄膜、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 組成又は構成元素が互いに異なる複数の酸化物層による積層構造からなる半導体薄膜において、前記酸化物層の一部又は全部がアモルファスである。前記酸化物層の厚さが0.05〜10nmである。前記酸化物層の一部又は全部が、In、Ga、Zn、Sn、Sb、Ge、又はAsのいずれかの元素を含有する。前記組成の異なる複数種以上の酸化物層の積層構造は、1積層単位が繰り返し成膜された複数の積層単位としてもよい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

組成又は構成元素が互いに異なる複数の酸化物層による積層構造からなる半導体薄膜において、前記酸化物の一部又は全部がアモルファスであることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/203 S ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618A

Fターム (31件)：

5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN10 ,  5F103RR04 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06 ,  5F110AA01 ,  5F110AA18 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD21 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208948   出願人：ホーヤ株式会社