薄膜電解効果トランジスタ及び液晶表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-062237
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264790
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】光リークを低減したうえで、チャネル長を短くしても駆動能力が高く、オン電流を向上することができ、高速に動作するTFT及び液晶表示装置を提供することを目的とする。【構成】ガラス基板1上にゲート電極2が形成されている。ガラス基板1およびゲート電極2上にゲート絶縁膜3が形成され、その上のゲート電極2と対応する位置にチャネル領域となるアモルファスシリコン層4が形成され、その両側にソース、ドレイン領域となる、イオンを注入したアモルファスシリコン層7が形成されている。ソース、ドレイン電極9の一方は上部絶縁膜の上にオーバーラップしている。

請求項（抜粋）：

表面絶縁性の基板上に形成されたゲート電極と、このゲート電極上にゲート絶縁膜を介して形成され内部にチャネル領域が形成される半導体層と、この半導体層上に形成されるチャネル保護用絶縁膜と、前記半導体層の内部或いは接して設けられたソース・ドレイン領域と、このソース・ドレイン領域上に形成されたソース・ドレイン電極とを備えた薄膜電解効果トランジスタにおいて、前記ソース・ドレイン電極のうちの一方が、前記上部絶縁膜の上に重なっており、他方が前記チャネル保護用絶縁膜から離れていることを特徴とする薄膜電解効果トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-104842 出願人：シャープ株式会社

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