特許

J-GLOBAL ID：200903073206314110

半導体薄膜の結晶化方法及び薄膜トランジスタの製造方法並 びにその方法に用いられるレーザアニール装置

発明者： 工藤 利雄 ,  浜田 史郎
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社 ,  住友重機械工業株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135774
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312963
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 線状のエキシマレーザビームのスキャン照射によりアモルファスシリコン薄膜を多結晶化してなる多結晶シリコン薄膜の結晶品質を均一且つ高品位とすることができる上、製造マージンを広くする。【解決手段】 線状のXeClエキシマレーザビーム12の焦点位置Pをアモルファスシリコン薄膜3の表面から下方(後方)にずらした位置とする。すると、ビーム幅方向の強度プロファイルが逆お椀型となり、アモルファスシリコン薄膜3を多結晶化してなる多結晶シリコン薄膜の結晶品質を均一且つ高品位とすることができる上、焦点位置Pをアモルファスシリコン薄膜3の表面として強度プロファイルをトップハット型とした場合と比較して、製造マージンを広くすることができる。

請求項（抜粋）：

レーザビームをビーム照射領域をオーバーラップさせながらスキャン照射することにより、半導体薄膜を結晶化する半導体薄膜の結晶化方法において、前記レーザビームをその焦点位置を前記半導体薄膜の表面から後方にずらして照射することを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-246826
  
• レーザーアニール方法およびレーザー光の照射方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-037705   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所