電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-253339
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097454
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】断面形状がT字型であるゲート電極を有するHEMTにおいて、帰還容量を抑制する。【解決手段】オーミックコンタクト層16上の異なる領域に、SiO2 膜17とSiON膜18とが積層された絶縁膜とSiO膜19とが形成されている。SiO2 膜17及びSiON膜18が積層された絶縁膜と、SiO膜19とが側壁になっているホールが形成されている。ホールに露出するオーミックコンタクト層16上、SiON膜18及びSiO膜19上に、ドレイン側空隙24及びソース側空隙25によってオーミックコンタクト層16と絶縁され、断面形状がT字型であるゲート電極20,21が形成されている。なお、ドレイン側空隙24の幅は、ソース側空隙25の幅より大きく形成されている。また、WSiゲートコンタクト層20に接する領域のSiO2 膜17は除去されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、柱部分と庇部分からなる断面T字型に形成され、柱部分の底部が前記半導体基板に接して設けられたゲート電極と、このゲート電極の庇部分及び柱部分に接して設けられた絶縁膜と、この絶縁膜と前記半導体基板との間に挿入され、且つ前記ゲート電極の柱部分から所定量後退し該後退部分に空隙を形成するように設けられ、ソース・ドレインとのコンタクトをとるためのオーミックコンタクト層とを具備した電界効果トランジスタにおいて、前記絶縁膜は、ドレイン側で前記ゲート電極の柱部分に接する底部領域が一部除去され、前記オーミックコンタクト層のドレイン側の空隙はソース側のそれよりも大きいことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/28 301 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-343806 出願人：株式会社東芝
特開平2-140942
特開平4-006838

全件表示

前のページに戻る