特許
J-GLOBAL ID:200903073207497960

IGBT障害電流制限回路及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-065121
公開番号(公開出願番号):特開平6-351226
出願日: 1994年04月01日
公開日(公表日): 1994年12月22日
要約:
【要約】【目的】 IGBTの耐短絡能力を改善する回路及び方法を提供する。【構成】 ゲート、コレクタ及びエミッタを有するIGBT12の耐短絡能力を改善するための回路において、短絡状態の間、上記IGBTの上記ゲートに印加される電圧を減じるためのMOSトランジスタ14を備え、上記IGBTを流れる短絡電流を低減することを特徴とする。
請求項(抜粋):
ゲート、コレクタ及びエミッタを有するIGBTの耐短絡能力を改善するための回路において、短絡状態の間、上記IGBTの上記ゲートに印加される電圧を減じるためのMOSトランジスタを備え、上記IGBTを流れる短絡電流を低減することを特徴とするIGBT障害電流制限回路。
IPC (3件):
H02M 1/08 ,  G05F 1/56 320 ,  H03K 17/08
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 特開平3-183209
  • 特開平2-086313
  • 特開平1-295520
全件表示

前のページに戻る