特許
J-GLOBAL ID:200903073207497960
IGBT障害電流制限回路及び方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-065121
公開番号(公開出願番号):特開平6-351226
出願日: 1994年04月01日
公開日(公表日): 1994年12月22日
要約:
【要約】【目的】 IGBTの耐短絡能力を改善する回路及び方法を提供する。【構成】 ゲート、コレクタ及びエミッタを有するIGBT12の耐短絡能力を改善するための回路において、短絡状態の間、上記IGBTの上記ゲートに印加される電圧を減じるためのMOSトランジスタ14を備え、上記IGBTを流れる短絡電流を低減することを特徴とする。
請求項(抜粋):
ゲート、コレクタ及びエミッタを有するIGBTの耐短絡能力を改善するための回路において、短絡状態の間、上記IGBTの上記ゲートに印加される電圧を減じるためのMOSトランジスタを備え、上記IGBTを流れる短絡電流を低減することを特徴とするIGBT障害電流制限回路。
IPC (3件):
H02M 1/08
, G05F 1/56 320
, H03K 17/08
引用特許:
審査官引用 (6件)
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特開平3-183209
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特開平2-086313
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特開平1-295520
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特開平4-172962
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特開平3-106217
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電力用トランジスタを保護するための保護回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-175216
出願人:エスジェーエス-トムソンミクロエレクトロニクスソシエテアノニム
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