特許
J-GLOBAL ID：200903073208388730
樹脂封止型半導体装置,その製造方法及びリードフレーム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046040
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243891
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 外部端子が下方に突出したQFN構造を有し、かつ良好な放熱性を維持しつつチップサイズの選択の自由度の高いパワーQFNとして機能する樹脂封止型半導体装置を提供する。【解決手段】 パワーQFNは、信号用リード1と、ダイパッド2と、吊りリード3と、ダイボンド用のDBペースト7とを備えており、これらは封止樹脂6内に封止されている。信号用リード1の下部は封止樹脂6よりも下方に突出して外部電極9として機能している。吊りリード3には2カ所の曲げ部13,14が設けられていて吊りリード3が変形吸収機能を付与されている。ダイパッド2に半切断部11が形成されて中央部2aが周辺部2bよりもアップセットされていることにより、吊りリード3との干渉を招くことなく半導体チップ4のサイズを自由に選択することが可能になるとともに、耐湿性も向上する。
請求項（抜粋）：
樹脂封止型半導体装置の製造に用いられるリードフレームであって、半導体チップを搭載しようとする領域に設けられた開口部と、上記開口部を取り囲む外枠と、上記開口部内に配置され半導体チップを支持するためのダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、上記開口部の縁において上記外枠に接続され上記ダイパッドに向かって延びる複数の信号用リードとを備え、上記各吊りリードには、他の部分よりも高くなった立ち上がり部が形成されており、上記ダイパッドの中央部は、その周辺部からアップセットされていて、上記半導体チップを支持するためのチップ支持部として機能することを特徴とするリードフレーム。
FI (2件)：
H01L 23/50 U
, H01L 23/50 Q
5F067AA03
, 5F067AA04
, 5F067AA07
, 5F067AA09
, 5F067AB03
, 5F067AB04
, 5F067BD00
, 5F067BD05
, 5F067BD10
, 5F067BE00
, 5F067BE01
, 5F067BE02
, 5F067CA00
, 5F067DE01
, 5F067DE09
, 5F067DF16
