特許
J-GLOBAL ID：200903073242392151
固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-152494
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331058
出願日： 1996年06月13日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 オーバーフローバリアが深く形成され、近赤外線領域にも感度のある特性の良好な固体撮像素子を提供する。【解決手段】 縦型オーバーフロードレイン方式の固体撮像素子1において、第1導電型半導体基板2と、第1導電型半導体基板2上に形成した第2導電型半導体領域4と、第2導電型半導体領域4上に形成した第2導電型半導体領域4より低濃度で赤外線が十分吸収しうる厚さの第1導電型、第2導電型又は真性導電型の半導体領域5を有し、この第1導電型、第2導電型又は真性導電型の半導体領域5の表面に受光部11を形成されてなる構成とする。
請求項（抜粋）：
縦型オーバーフロードレイン方式の固体撮像素子において、第1導電型半導体基板と、該第1導電型半導体基板上に形成された第2導電型半導体領域と、該第2導電型半導体領域上に形成された第2導電型半導体領域より低濃度で赤外線が十分吸収されうる厚さの第1導電型、第2導電型又は真性の半導体領域を有し、該第1導電型、第2導電型又は真性の半導体領域の表面に受光部が形成されてなることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 B
, H04N 5/335 U
