特許

J-GLOBAL ID：200903073284921464

ZnO系半導体素子およびその製造方法

発明者： 石崎 順也
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-087668
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296821
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】簡便に素子層の品質向上を可能とするとともに、コストの観点からも適したZnO系半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板として水熱合成法にて形成されたZnO単結晶基板Sを用いるとともに、該ZnO単結晶基板Sの主表面上に、エピタキシャル成長法にてZnO系化合物からなる素子層11を形成させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

水熱合成法により形成されたZnO単結晶基板の主表面上に、エピタキシャル成長法にてZnO系化合物からなる素子層が形成されてなることを特徴とするZnO系半導体素子。

IPC (3件)：

H01L21/365 ,  C30B29/16 ,  H01L33/00

FI (3件)：

H01L21/365 ,  C30B29/16 ,  H01L33/00 D

Fターム (31件)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077CB03 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077KA05 ,  4G077KA15 ,  5F041CA02 ,  5F041CA41 ,  5F041CA49 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF06 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082043   出願人：科学技術振興事業団