特許
J-GLOBAL ID：200903073293580530
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070663
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274139
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 ドライエッチングにより層間絶縁膜に接続用ホールを形成するにあたり、接続用ホールのエッチング形状の改善及び対下地選択比の向上を図る。【解決手段】 プラズマエッチングによって半導体基板1上の層間絶縁膜2にコンタクトホール8を形成するにあたり、コンタクトホール8に堆積されるフロロカーボンを含んだ反応性生成膜7の膜厚を、コンタクトホール8の頂部8Cの膜厚をa、その底部8Bの膜厚をb、その側壁部8Aの最大膜厚をc及びその側壁部8の最小膜厚をdとしたとき、0.15≦b/a≦0.3、かつ、0.15≦d/c≦0.5、の関係を満足するように形成する。
請求項（抜粋）：
フロロカーボンを含む混合ガスを用いたドライエッチングによって、層間絶縁膜に接続用ホールを形成する半導体装置の製造方法であって、前記ドライエッチングにより形成される前記接続用ホールの頂部、底部及び側壁部に渡って堆積される前記フロロカーボンを含んだ反応性生成膜を、前記頂部の膜厚をa、前記底部の膜厚をb、前記側壁部の最大膜厚をc及び前記側壁部の最小膜厚をdとしたとき、0.15≦b/a≦0.3、かつ、0.15≦d/c≦0.5、の関係を満足するように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/3213
, H01L 21/768
H01L 21/302 J
, H01L 21/88 D
, H01L 21/90 M
