電子部材洗浄液及び電子部材洗浄方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-055364
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261069
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 Si, W, Al, Ti, Co, Ru, Pt, Ir , Ta, Fe, Cuもしくはこれらの化合物の単一もしくは複数の金属材料からなる微細構造を含むシリコン基板表面に対して損傷を与えることなく、金属、有機物、微粒子などの汚染物を除去する。【解決手段】 Si, W, Al, Ti, Co, Ru, Pt, Ir , Ta, Fe, Cuもしくはこれらの化合物の単一もしくは複数の金属材料からなる微細構造を含むシリコン基板表面を洗浄対象とし、弗化水素と界面活性剤と過酸化水素とを含み、弗化水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下、界面活性剤の濃度が50mg/l以上500mg/l以下、過酸化水素の濃度が0.01wt%以上5wt%以下である電子部材洗浄液で洗浄後、オゾン濃度が1mg/l以上であるオゾン水で洗浄する。

請求項（抜粋）：

弗化水素と界面活性剤とを含み、前記弗化水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下であることを特徴とする電子部材洗浄液。

IPC (6件)：

H01L 21/304 647 , C11D 3/04 , C11D 3/395 , C11D 7/04 , C11D 10/02 , C11D 17/08

FI (6件)：

H01L 21/304 647 B , C11D 3/04 , C11D 3/395 , C11D 7/04 , C11D 10/02 , C11D 17/08

Fターム (9件)：

4H003AB01 , 4H003AE01 , 4H003DA09 , 4H003DA15 , 4H003EA05 , 4H003EA31 , 4H003ED02 , 4H003EE03 , 4H003EE04

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置用洗浄液及びそれを用いた半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-342580 出願人：森田化学工業株式会社, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

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