特許
J-GLOBAL ID：200903073311948779
単結晶製造装置およびこれを使用した単結晶製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040150
公開番号（公開出願番号）：特開平9-278583
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：
【要約】【課題】 次回の引上げまでの所要時間を短縮する。引上げ室内におけるダスト量を低減する。【解決手段】 単結晶製造装置のメインチャンバー30の円筒部32を装置から分離可能とする。円筒部32内にホットゾーン構成部品を保持可能とする。引上げ終了後、円筒部32内にホットゾーン構成部品を取り付けたまま、円筒部32を装置から分離し、別室へ搬入する。別室でホットゾーン構成部品の解体・再生・組立を行う。一方、単結晶製造装置では、予め別室でホットゾーン構成部品の組立を終えた円筒部32を装置に取付け、次回の引上げを行う。
請求項（抜粋）：
CZ法による単結晶の育成に使用され、メインチャンバー内に配置されたホットゾーンにより原料融液を生成し、メインチャンバーの上方に連結されたプルチャンバー内に、原料融液から引き上げられる単結晶を引込む単結晶製造装置において、メインチャンバーの少なくとも円筒部が装置から取外し可能であり、且つ、その円筒部の内側にホットゾーン構成部品のうちの少なくとも1種が保持可能であることを特徴とする単結晶製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 15/00 Z
, C30B 15/14
