特許

J-GLOBAL ID：200903073313049364

発光ダイオード素子及び発光ダイオード装置

発明者： 坂本 明彦 ,  瀬戸 直 ,  姫井 裕助
出願人/特許権者： 日本電気硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-030370
公開番号（公開出願番号）：特開2008-112959
出願日： 2007年02月09日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：

【課題】基板や発光ダイオードチップへの微細加工や集光用光学部材を必要とせず、かつ、発光ダイオードチップの発熱による反射防止効果の変化が小さい被覆層を発光ダイオードチップ上に形成することによって光の取り出し効率を向上させ、高い発光効率を有する発光ダイオード素子およびそれを用いた発光ダイオード装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の発光ダイオード素子は、発光ダイオードチップと、その表面に形成された被覆層とを備えた発光ダイオード素子において、被覆層は、発光ダイオードチップから出射された光に対する反射防止機能を備え、厚さが50μm以下であり、かつ、屈折率の温度係数の絶対値が15×10-6/°C以下であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光ダイオードチップと、その表面に形成された被覆層とを備えた発光ダイオード素子において、被覆層は、発光ダイオードチップから出射される光に対する反射防止機能を備え、厚さが50μm以下であり、かつ、屈折率の温度係数の絶対値が15×10-6/°C以下であることを特徴とする発光ダイオード素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (2件)：

5F041AA03 ,  5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 付活剤を含有した基板を用いた窒化物半導体素子、及び成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-315629   出願人：日亜化学工業株式会社
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-400073   出願人：松下電工株式会社
• 特開平4-22352号公報
  
• 特許第2924580号公報