付活剤を含有した基板を用いた窒化物半導体素子、及び成長方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-315629
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204079
出願日： 2002年10月30日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】任意の色の発光が可能な発光素子であって、色ムラを抑制した均一光源を得ることを目的とする。また、均一光の取り出し効率の向上も課題とする。【解決手段】付活剤を含有した基板に凹凸を形成し、この基板上に発光層を有するInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)から成る窒化物半導体素子を成長させる。この時、基板は(111)面を主面とするY3Al5O12基板、LSAT基板、又は(0001)面を主面とするサファイア基板等である。付活剤としてCe、Tb、Eu等がある。前記基板の凹凸形成はテーパー角をつける。

請求項（抜粋）：

Ce、Tb、Eu、Ba、Sr、Mg、Ca、Zn、Si、Cu、Ag、Au、Fe、Cr、Pr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選ばれる少なくとも一種を付活剤として含有する基板であって、該基板には凹凸を有し、凹凸面上には窒化物半導体を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 33/00 , C09K 11/08 , C09K 11/62 CQF , C09K 11/64 CPM , C09K 11/78 CQB , C09K 11/80 CPB

FI (6件)：

H01L 33/00 C , C09K 11/08 J , C09K 11/62 CQF , C09K 11/64 CPM , C09K 11/78 CQB , C09K 11/80 CPB

Fターム (50件)：

4H001CA05 , 4H001XA05 , 4H001XA07 , 4H001XA08 , 4H001XA13 , 4H001XA21 , 4H001XA31 , 4H001XA38 , 4H001XA39 , 4H001XA49 , 4H001XA57 , 4H001XA62 , 4H001XA64 , 4H001XA71 , 4H001XA73 , 4H001XA81 , 4H001YA12 , 4H001YA14 , 4H001YA20 , 4H001YA22 , 4H001YA24 , 4H001YA26 , 4H001YA27 , 4H001YA28 , 4H001YA29 , 4H001YA30 , 4H001YA38 , 4H001YA47 , 4H001YA56 , 4H001YA58 , 4H001YA59 , 4H001YA60 , 4H001YA63 , 4H001YA65 , 4H001YA66 , 4H001YA79 , 5F041AA03 , 5F041AA05 , 5F041AA11 , 5F041CA03 , 5F041CA13 , 5F041CA33 , 5F041CA46 , 5F041CA50 , 5F041CA57 , 5F041CA63 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041FF01 , 5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (8件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-208682 出願人：日本酸素株式会社
発光装置、その製造方法およびディスプレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-108760 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
特開昭49-003899

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